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　　荣耀80 GT智能手机发布；iQOO Neo7竞速版智能手机发布；Tronsmart推出Bang SE派对音响；卡西欧G-SHOCK系列防震手表又添新成员；E Ink元太科技全彩电子纸技术E Ink Gallery 3已进入量产；OPPO发布其第二款自研芯片马里亚纳Y；三星电子成功开发出其首款12纳米级DDR5 DRAM；忆联发布数据中心级NVMe SSD--UH711a以及UH711a E3.S形态。

　　荣耀80 GT智能手机采用高通骁龙8 Gen1 Plus旗舰平台，搭配Pixelworks X5 Plus视觉处理器。荣耀80 GT智能手机同时支持视频和游戏的画质优化。针对游戏内容，可通过算法将低帧率的游戏内容插帧至90fps或120fps。可将SDR(标准动态范围)格式的游戏内容实时转化为HDR(高动态范围)效果。显示屏均采用Pixelworks显示校准技术进行工厂校准，覆盖100%的DCI-P3和sRGB 色域。

　　新发布的iQOO Neo7竞速版智能手机搭载了升级的Pixelworks X5 系列视觉处理器， 通过引入Pixelworks特有的MotionEngine技术、HDR画质增强技术、游戏视效增强技术，为终端用户带来更加沉浸真实的视频和游戏体验。iQOO Neo7竞速版搭载高通第一代骁龙8+移动平台。屏幕方面配备6.78英寸的1080p分辨率AMOLED屏，支持120Hz高刷新率。充电方面，该手机内置5000mAh电池，支持120W快充。

　　Tronsmart推出Bang SE。作为Tronsmart Bang系列的一部分，Bang SE确保了24小时的游戏时间和精彩的灯光表演。Tronsmart Bang SE专门为室外场景定制，拥有40瓦洪亮立体声输出系统，只有2公斤左右。由于配备两个3.1英寸全频喇叭单元，Bang SE能够全面呈现卓越的声音品质，带来响亮清脆的声音。Bang SE配备的电池支持24小时长时间运行，同时还拥有“移动电源”功能，可以给手机充电。

　　卡西欧宣布其G-SHOCK系列防震手表又添新成员，六个“冒险家之石”(Adventurers Stone)型号的灵感来自冒险家长期以来用来导航的石头。该系列手表的金属表圈经过锻造和纹理打造，以重现石头的粗糙感。纹理表面也经过打磨，而顶部和侧面则进行了发纹和镜面处理，带来水晶美感。每一款的灵感都来自不同类型的石头，表圈采用许多不同彩色离子镀中的一种，以重现特定矿物的外观和独特的发光方式，具体取决于石头的光亮和横截面。每个型号的表带与表圈相得益彰。

　　E Ink元太科技宣布，全彩电子纸技术E Ink Gallery 3已进入量产。E Ink Gallery 3运用E Ink ACeP (Advanced Color ePaper)全彩电子纸显示技术开发而成。E Ink Gallery 3在黑白文字换页速度提升至350毫秒，彩色显示的更新速度亦大幅提升，在快速色彩显示模式下，更新速度为500毫秒；标准模式则为750至1,000毫秒；最佳色彩显示模式则为1,500毫秒。同时支持数字化笔写功能，除黑白双色之外，还可呈现几种主要颜色，笔写延迟最低仅约30毫秒。E Ink 电子纸只需要微量电源即能更换画面，待机时间不耗电。

　　OPPO发布其第二款自研芯片--马里亚纳Y，是集合了“计算+音频+连接”能力的旗舰级蓝牙音频SoC。马里亚纳Y突破了设计上的挑战，在一个Die上实现了“基带、数字和射频”的整合，为蓝牙无线bit的无损音频体验。马里亚纳Y采用了台积电N6RF的先进工艺，将射频、计算和数模转换的部分放在一颗芯片上。马里亚纳Y的NPU算力达到了超前的590 GOPS。

　　三星电子宣布，已成功开发出其首款采用12纳米（nm）级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM。这一技术突破是通过使用一种新的高介电（high-k）材料来增加电池电容，以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。结合先进的多层极紫外（EUV）光刻技术，新款DRAM拥有三星最高的DDR5 Die密度（Die density），可使晶圆生产率提高20%。基于DDR5最新标准，三星12nm级DRAM将解锁高达7.2千兆每秒（Gbps）的速度。与上一代三星DRAM产品相比，12nm级DRAM的功耗降低约23%。

　　忆联发布数据中心级NVMe SSD——UH711a以及UH711a E3.S形态。该系列产品使用自研控制器与长江存储128L 3D NAND，专为数据中心级业务场景而设计。UH711a单盘容量最高达7.68TB，能为数据库、块存储、虚拟化、云主机等应用提供高性能的存储方案。UH711a支持高速PCIE Gen4接口，针对数据中心级业务场景及负载Workload IO模型，在各类场景可提供全面的性能优化能力，产品顺序读写性能高达7200/4500 MB/s，随机读写性能高达1700/230K IOPS。