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三星这次又火了一把单颗最大容量16GB的三代HBM2E显存问市
作者:佚名 文章来源:本站原创 点击数: 更新时间:2024/11/18 8:54:51 | 【字体:

  小学生简单小发明日前,三星正式宣布推出名为Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片。

  第三代HBM2存储芯片单颗最大容量16GB,由16Gb的单Die通过8层堆叠而成,可实现16GB的封装容量,并确保3.2Gbps的稳定数据传输速度。

  三星方面表示,新型16GB HBM2E特别适用于高性能计算(HPC)系统,并可帮助系统制造商及时改进其超级计算机、AI驱动的数据分析和最新的图形系统。

  三星预计第三代HBM2存储芯片将在今年上半年开始量产。三星将继续提供第二代Aquabolt产品阵容,同时扩展其第三代Flashbolt产品。

  关键字:引用地址:三星这次又火了一把,单颗最大容量16GB的三代HBM2E显存问市

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  6月7日消息,日前三星联合美国运营商AT&T发布了三防新机Galaxy S7 Active,该机保持了基本相同的配置,与此同时配备了耐用性更强的后壳。 三星A7 Active 三星A7 Active搭载骁龙820处理器,采用5.1英寸2K级别显示屏,内置4GB RAM+32GB ROM,配备更大的4000mAh电池(三星S7为3000mAh),续航能力出众,并拥有防水功能。另外,三星S7 Active的Home键也具有指纹识别功能,但如果说颜值的话,该机正面的两个实体按键设计并不美观。 三星A7 Active   据悉,AT&T将于6月10日开始销售三星S7 Active,它将提供砂金色、

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