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三星3nm GAA工艺良率提升 小折叠机型或采用猎户座2500芯片
作者:佚名 文章来源:本站原创 点击数: 更新时间:2024/12/15 15:56:56 | 【字体:

  逍遥记李白近日,三星电子高管透露其第2代3nm GAA(Gate-All-Around)工艺已进入稳定阶段,解决了此前在量产方面遇到的困难。这一技术的成熟,为Exynos 2500芯片的广泛应用奠定了基础。虽然具体良率比例尚未公布,但三星已成功解决了3纳米制程的良率问题。此前,良率低下一直是制约Exynos 2500发展的主要因素。

  Exynos 2500芯片的研发初衷是用于GalaxyS25系列。然而,由于制程良率和性能方面的挑战,该芯片的应用一度受到限制。如今,随着问题的解决,Galaxy Z Flip系列(包括Galaxy Z Flip7和Galaxy Z Flip FE)有望率先搭载这款芯片。

  在过去,三星晶圆代工事业部和系统LSI事业部之间存在责任推诿现象。为了推动3nm GAA工艺的稳定和发展,双方现已达成合作协议,将共同努力推进新芯片的商用进程。

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