布乖社区近日，《朝鲜日报》报道，三星电子已决定减少以中国西安工厂为中心的NAND闪存产量。

　　业内人士透露，三星电子已制定计划，将其最大的NAND生产基地——中国西安工厂的晶圆投入量减少10%以上。

　　受此影响，西安工厂平均每月20万片的晶圆产量预计将减少至17万片左右。此外，华城12号线号线也将进行供应调控，导致产能全面下调。

　　报道称，此举似乎是为保护盈利能力的一项措施，因为全球 NAND闪存供应持续过剩，预计今年价格将大幅下跌。

　　根据三星电子刚刚发布的业绩报告显示，Q4营业利润为6.50万亿韩元，而预估为8.96万亿韩元。2024年第四季度，三星电子销售额75万亿韩元，同比增长 10.7%，预估 77.46 万亿韩元，均不达预期。与上季度相比，三星电子 Q4 销售额下降 5.18%，营业利润下降 29.19%。

　　另外，在去年11月初，该媒体还曾报道称，三星电子计划销售各条前端和后端生产线的旧设备，其中包括其位于中国西安的NAND闪存工厂的设备，大部分是100层3D NAND设备。报道称，三星已与多家公司进行了讨论，预计将于2025年正式开始出售。

　　TrendForce数据显示，通用NAND价格从2023年10月开始经历5个月的上涨之后，于2024年3月增速减缓，维持平稳状态，而后从9月开始转为下跌，9月、10月和11月的环比降幅分别为11.44%、29.18%和29.8%。

　　TrendForce预测，2024年第四季度NAND的合约价格将下降3%-8%，获利能力进一步减弱，因此2025年或许会有部分产品线从NAND转向DRAM。2025年第一季NAND闪存供货商将面临库存持续上升，订单需求下降等挑战，预计平均合约价减10%至15%。

　　就在2024年12月底，另外一位存储巨头美光也做出了减产的决定。在截至11月28日的2025财年第一财季财报会议上。美光高管确认在闪存市场需求放缓的背景下将其 NAND 晶圆启动率较此前水平下调10%，并减慢制程节点转移。

　　在第一财季，美光 NAND业务实现 22 亿美元营收，同比增长82%，但出现5%环比下滑。美光预计在2025 年 2 月末的第二财季中，公司NAND 出货量将出现显著的环比下降。

　　美光指出，尤其是针对企业级固态硬盘（SSD）的需求在2025年第一季度也显现出放缓的迹象。美光高层表示，尽管他们认为这种需求的减缓是暂时性的，但对整体市场前景依然持谨慎态度。

　　作为NAND闪存巨头，三星虽连续多年保持该行业的第一名，但其不仅要面临市场变化的挑战，也面临着来自竞争对手的冲击。

　　近年来，来自SK 海力士、日本铠侠、美国西部数据和美光、中国长江存储等厂商的竞争加剧。

　　根据TrendForce的数据，2024年第三季度，三星在NAND闪存收入市场份额中排名第一，为35.2％。作为追逐者的SK海力士，其在全球NAND市场的份额在2020年还仅为11.7%到了2024年三季度已增长至20.6％。

　　目前来看，SK海力士主要是以高端NAND存储器为战略重点寻求突破。去年以来，SK海力士对其NAND技术信心增强。11月，SK 海力士宣布，其成为世界首家300层以上的 NAND 闪存量产供应商。该公司计划从2025年上半年开始向客户交付 321 层的产品。

　　为此，SK海力士还做出了与三星不同的选择，计划今年逐步增加NAND产量。一位业内人士表示，“考虑到目前的NAND价格走势和供应过剩，减产是一个合理的选择，但SK海力士增加供应规模似乎是对获得相对于三星的竞争优势的信心的表现。”

　　《朝鲜日报》在报道中也提到，考虑到 SK 海力士正在增加 NAND 供应，这表明三星其目前的生产工艺可能不再维持其曾经的主导地位。

　　另外，日本铠侠也来势汹汹。由于担心未来库存上升，铠侠此前计划减少第四季度NAND产量，避免产能过剩。但同时为应对生成性AI浪潮需求，铠侠也称将于2025年大规模生产第八代NAND设备，并准备投产最先进存储产品，旨在缩小与三星和SK海力士等竞争对手的差距。

　　此外，中国的长江存储近些年来也逐渐在全球NAND市场崭露头角。长江存储作为中国第一家存储器晶圆厂，是3D-NAND存储芯片国内龙头，在中国半导体行业举足轻重，其自研的Xtacking架构成功让长江存储迈入国际领先的NAND闪存芯片制造行列。

　　尤其是Xtacking 3.0和Xtacking 4.0架构的推出，可让3D NAND的层数堆叠到232层，使得其能够与美光、三星和 SK 海力士等全球领导者进行竞争。2022年8月，长江存储全球首发布232层3D NAND芯片，工艺水平一时超过了存储行业的三巨头（三星、SK海力士、美光）成为当时的全球第一。

　　就在前段时间还有国外媒体分析称，长江存储已经利用国产设备，成功制造出3D NAND闪存芯片，这也将进一步提升其包括不限于国内市场的竞争力。

　　基于全球NAND市场未复苏，以及来自竞争对手的冲击，三星以减产应对也是合理的行为。

　　当然，三星也未坐以待毙。根据2025 年 IEEE 国际固态电路会议议程透露，三星目前正在开发286 层的第九代 3D NAND ，并正在开发400层技术。

　　当前，市场中3D NAND闪存量产的最高层数为SK海力士的321层，紧随其后的是三星的286层，美光的276层，长江存储的232层。西部数据和铠侠则量产了218层芯片。

　　当初三星在西安建厂，拆迁的那些村子伪造数据多了几千人，骗了国家几十个亿的拆迁款。

　　一个工厂而已 全面抛弃中国也不奇怪！随便在什么越南，马来西亚建个工厂，又不难。。。

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