韩炎网去年早些时候的传言称，高通计划将Samsung Foundry的尖端节点用于其旗舰芯片。然而，随后的报道默认了它将在骁龙 8 Gen 4 上独家使用台积电的 N3E 节点，有效地平息了双源传闻。Etnews的一份报告指出，它们并非完全错误，高通将在2025年与三星合作开发其旗舰芯片。

　　据称，这家芯片制造商已要求三星在其 2 纳米 SF2 节点上制造智能手机 AP。三星的路线图指出，该工艺使用其GAA MBCFET（全环绕多桥通道场效应晶体管）技术，并将于2025年投入大规模生产。一年前，Exynos 2500 据称在当前一代三星 3GAP 节点上上装配线。报告补充说，它的继任者Exynos 2600（暂定）也将在同一SF2节点上生产。

　　知情人士告诉Etnews，高通还要求台积电开发其2纳米芯片。台积电的路线图指出，其基于 GAAFET 的 2 纳米 N2 节点应在 2025 年准备就绪。然而，可用性最初可能是一个问题，因为像苹果这样的玩家历来在新节点上获得其最大份额的容量。这可能会迫使高通在其 2025 年的产品中考虑像 N4P 这样的旧节点。如果台积电缺乏容纳高通的能力，那么有问题的 2 纳米 SoC 有可能被推迟到 2026 年。

　　著名的 X 泄密者@Tech_Reve认为有问题的神秘芯片是骁龙 8 Gen 5。他们补充说，适用于 Galaxy 的 Snapdragon 8 Gen 5 将由三星代工厂制造，普通版本将在台积电的 N3P 节点上制造。SF2节点据称是为高通定制的，类似于台积电为英伟达（Nvidia）为Ada Lovelace GPU定制的4N节点。从纸面上看，这应该会让Snapdragon 8 Gen 5 for Galaxy比其常规版本更具优势，这可能会导致Chipgate式的情况。

　　IT时代网(关注微信公众号ITtime2000，定时推送，互动有福利惊喜)所有原创文章版权所有，未经授权，转载必究。

　　创客100创投基金成立于2015年，直通硅谷，专注于TMT领域早期项目投资。LP均来自政府、互联网IT、传媒知名企业和个人。创客100创投基金对IT、通信、互联网、IP等有着自己独特眼光和丰富的资源。决策快、投资快是创客100基金最显著的特点。

　　来自:【人物】滴滴创始人程维回顾与Uber竞争：中国互联网从来没有输过--IT时代网